NAND Flash产品可以分为三大架构，分别是单层式储存 (Single Level Cell;SLC)，包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者，第二种则是多层式储存(Multi Level Cell;MLC)，目前有东芝、Renesas使用，不过三星电子将在2005第四季推出相关产品，最后则是英飞凌(Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell;MBC)。 今天我们只谈SLC和MLC。

MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。

也就是说SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。

不过MLC架构有着缺点，首先是使用寿命较短，MLC架构只能承受约1万次的存取，远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度，SLC架构比MLC架构要快速三倍以上，加上MLC架构对于电力的消耗较多。

看来好像MLC不能使用了至少不成熟，而事事有个万一。因为现在三星在大批量生产MLC芯片，而三星又出品ARM主控芯片，所以相对其他的MP3主控芯片三星的主控芯片和三星MLC芯片的兼容相就更好。使用其他MLC芯片的MP3由于兼容性的问题有时就会出现读写速度慢，有闪存坏块等问题。

可以说MLC无论是在成本上考虑还是在容量发展上考虑都是很好的发展方向，而现在需要做的是完善这个技术，更好的利用这个技术。

常说的MLC和TLC有什么区别呢?下面就教下大家固态硬盘颗粒MLC和TLC的区别。

首先，SLC、MLC、TLC及近2年新出的QLC四者是固态硬盘NAND闪存的不同类型。常说的固态硬盘颗粒MLC和TLC的区别如下：

MLC(Multi-Level-Cell)即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。一般企业或特殊需求者(如挖矿等)用的比较多，今年4月份由于CHIA币兴起，价格猛涨了一波还老断货。前两年市面上卖的还挺多，但今年已经不常见了。

TLC(Triple-Level-Cell)是现在的主流，其每个cell单元存储3bit信息，容量比MLC增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，寿命相对MLC也更短，但通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。另外现在的TLC固态硬盘都启用了SLC Cache缓存模式提升写入速度，使得在特定场合下，与MLC写入速度相差不大。

以上便是固态硬盘颗粒MLC和TLC的区别介绍。总的来说，从性能来看MLC>TLC，但日常使用无论是办公还是游戏，TLC一般都足够了，性价比相对高些。想要更高的性能的话可以考虑MLC。

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